総合教育研究棟 253講義室 この教室で行われるプログラム  会場配置図へ戻る 会場図出力はこちら


BS-6. 代替エネルギーシステムのパワーエレクトロニクスとエネルギー蓄積技術
9月16日 9:50~11:45 総合教育研究棟 253講義室 座長 南澤俊孝(信州大)
BS-6-1 代替エネルギー用昇降圧形DC-DCコンバータのディジタル制御について
  ○石橋 拓・黒川不二雄(長崎大)
BS-6-2 風力発電を用いた水素製造システムにおけるEDLC適用効果
  ○金内博伸(エイ・エル・エイ)・谷内利明(東京理科大)・谷 辰夫(諏訪東京理科大)
休 憩(10:55 再開)  座長 温田敏之(ジーエス・ユアサコーポレーション)
BS-6-3 風力発電用電力安定化と蓄電システム
  神通川 亨・○小松木和成(富士電機システムズ)
BS-6-4 NAS電池による風力発電出力の平滑化
  ○渥美 淳・小川幸冶(日本ガイシ)
CK-1. プレナリーセッション
9月16日 15:30~17:00  総合教育研究棟 253講義室  司会 総務幹事 高橋 浩(NTT)
15:30~15:35  ソサイエティ会長挨拶 会長 益 一哉(東工大)
15:35~15:45 フェロー授与式
15:45~16:15 表彰式
    ・エレクトロニクスソサイエティ賞
・エレクトロニクスレター論文賞
・ELEX Best Paper Award
・エレクトロニクスソサイエティ学生奨励賞
16:15~17:00 特別講演
    「半導体レーザ実用化技術の歴史と展望」
  愛知工科大学工学部教授 茅根直樹 先生
C-10. 電子デバイス
9月17日 10:00~11:30 総合教育研究棟 253講義室 座長 上田哲三(パナソニック セミコンダクター社)
C-10-1 マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードのSパラメータ解析
  ◎高橋健介・敖 金平・胡 成余(徳島大)・篠原真毅(京大)・丹羽直幹(鹿島建設)・大野泰夫(徳島大)
C-10-2 傾斜フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTの耐圧解析-2層絶縁膜の効果-
  ○畑野舞子・児玉和樹・酒井亮輔・葛原正明(福井大)
C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価
  ○脇 英司・伏見 浩(新日本無線)・江川孝志(名工大)
C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析
  ○大石敏之・大塚浩志・山中宏治・加茂宣卓・井上 晃・柳生栄治・平野嘉仁(三菱電機)・宮本恭幸(東工大)
C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響
  ○深澤義道・伏見 浩(新日本無線)
C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器
  ○吉田周平・田能村昌宏・村瀬康裕・山之口勝己・大田一樹・松永高治(NEC)
9月18日 9:15~12:00 総合教育研究棟 253講義室 座長 鈴木寿一(北陸先端大)
C-10-7 InGaAs-Channel MOSFET の電子輸送に関する理論的研究
  ○渡辺久巨・竹岸孝之・本間嵩広・原 紳介・藤代博記(東京理科大)
C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析
  ◎窪田健太郎・佐野栄一(北大)・尾辻泰一・Yahya Moubarak Meziani(東北大)
C-10-9 IMPACT OF CAP LAYER ON PLASMA FREQUENCIES IN HEMT-BASED TERAHERTZ DEVICES
  ○Irina Khmyrova(Univ. of Aizu)
C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析
  ◎松岡 渉・佐野栄一(北大)・尾辻泰一(東北大)
C-10-11 カーボンナノチューブ分散ゴムの電磁波シールド特性
  ◎田中 朋・佐野栄一・古月文志(北大)・西村浩之・柏木 猛・中根和靖(イノアック)
休 憩(10:45 再開)  座長 田中愼一(芝浦工大)
C-10-12 高性能広帯域デジタル超音波センサのためのGaAs基板上MEMSマイクロフォンの作製
  ○柴田真吾・笠原康司・松田憲治・森 雅之・前澤宏一(富山大)
C-10-13 一次元および二次元スイッチ線路を用いたパルス制御
  ◎丸山裕之・楢原浩一(山形大)
C-10-14 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのESD高耐圧化
  ○佐野公一・武藤美和・長谷宗彦・村田浩一(NTT)
C-10-15 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのROSA実装時における群遅延特性改善
  ○武藤美和(NTT)
C-10-16 InP HBTによる24-GS/s 6-bit R-2R 型 D/A変換器
  ◎長谷宗彦・野坂秀之・山中祥吾・佐野公一・村田浩一(NTT)
CI-1. 高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望
(電子デバイス研専)
9月17日 13:00~17:00  総合教育研究棟 253講義室  座長 井上 晃(三菱電機)
講演時間:各25分
座長挨拶:1分
CI-1-1 2010年代の電波利用の将来展望とその課題-電波新産業創出戦略-
  渡辺克也(総務省)
CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術
  ○松井敏明・渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・東脇正高・笠松章史・広瀬信光(NICT)
CI-1-3 ディジタル家電におけるギガビット伝送の動向
  藤田 卓(パナソニック)
CI-1-4 ミリ波モバイルカメラシステムの動向
  池田哲臣(NHK)
休 憩(14分)  座長 村田浩一(NTT)
CI-1-5 70-100GHz帯10Gb/s無線通信用InP HEMT送受信モジュールの開発
  ○中舍安宏(富士通)・佐藤 優(富士通研)・田島龍彦・川野陽一・鈴木俊秀・高橋 剛(富士通)・多木俊裕(富士通研)・牧山剛三・原 直紀(富士通)
CI-1-6 120GHz帯無線リンクとモジュール技術
  ○高橋宏行・小杉敏彦・枚田明彦・村田浩一・久々津直哉(NTT)
CI-1-7 ミリ波ブロードバンド通信用チップセット
  ○森 一富・川上憲司・橘川雄亮・美保諭志・永井幸政・井上 晃・平野嘉仁・米田尚史・小西善彦(三菱電機)
CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット
  ○半谷政毅・湯川秀憲・水谷浩之・山中宏治・井上 晃・平野嘉仁(三菱電機)
CI-1-9 GaN HEMTのミリ波応用技術
  ○吉川俊英・牧山剛三・金村雅仁・山田敦史・多木俊裕・今西健治・増田 哲・常信和清(富士通)・重松寿生・原 直紀(富士通研)